STP11NM65N

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

STP11NM65N datasheet

• Маркировка
  STP11NM65N
• Производитель
  STMicroelectronics
• Описание
  STMicroelectronics STP11NM65N Product Category: MOSFET Transistor Polarity: N-Channel Drain-Source Breakdown Voltage: 650 V Gate-Source Breakdown Voltage: +/- 25 V Continuous Drain Current: 12 A Resistance Drain-Source RDS (on): 0.38 Ohms Configuration: Single Maximum Operating Temperature: + 150 C Mounting Style: Through Hole Package / Case: TO-220 Fall Time: 20 ns Minimum Operating Temperature: - 55 C Power Dissipation: 125 W Rise Time: 13 ns Typical Turn-Off Delay Time: 55 ns
• Количество страниц
  20 шт.
• Форматы файла
  HTML, PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)

Скачать datasheet STP11NM65N.pdf
Файл формата Pdf 408,95 KB